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起源
话说远古时期的PC是没有内存条的，IC直接以DIP安装在PCB上，且需要安装8到9颗这样的芯片，而容量只有64KB到256KB，要扩展相当困难。且贵啊，当时这块是相当于高新技术，懂的人又不多，DIY？省省吧门都没有。
不过，这对于当时的处理器和程序来说足够了，直到80X86的出现，让硬件和软件都渴求更大的内存，于是内存条应运而生。
SIMM
在80286时代，内存的形式：SIMM（Single In-line Memory Modules）。
初代SIMM内存采用30Pin设计，单根内存数据总线只有8bit，如果用在16位数据总线处理器上就需要两根SIMM内存条，而用在32位数据总线处理器上就需要四根。
后来又有了72Pin SIMM内存，单根内存位宽增加到32位，一根就可以满足32位数据总线处理器，拥有64位数据总线的处理器则需要两根。内存容量也有所增加，从30Pin时代的256KB增加到512KB、1MB甚至是2MB。它的出现很快就替代了30Pin SIMM内存。
在那时代，还有一个衍生物FP DRAM，快页内存。其定时刷新的机制导致数据存取速度并不快。但是这是内存发展承上启下的关键，因为之后的内存规范与FP DRAM在原理上非常相似。
然而随着CPU的升级EDO RAM已经不能满足系统的需求，内存技术也发生了大革命，插座从原来的SIMM升级为DIMM(Dual In-line Memory Module)，而迎来了经典的SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM，同步型动态存储器）时代。
SDRAM为64bit的带宽与处理器的总线宽度保持一致，单条SDRAM就能够让PC正常运行，降低了内存的购买成本。
渐渐的，SDR SDRAM尽显老态。需要新的标准才能继续前进。于是我们看到了内存市场的新王者：DDR SDRAM。
DDR
DDR（Double Data Rate）SDRAM，中文名为双倍数据率同步动态随机存取存储器，它是SDR SDRAM的升级版，DDR SDRAM在时钟周期的上升沿与下降沿各传输一次信号，使得它的数据传输速度是SDR SDRAM的两倍，而且这样做还不会增加功耗，至于定址与控制信号与SDR SDRAM相同，仅在上升沿传输，这是对当时内存控制器兼容性与性能的折中。
DDR-400
DDR SDRAM采用184Pin的DIMM插槽，防呆缺口从SDR SDRAM时的两个变成一个，常见工作电压2.5V。初代DDR内存的频率是200MHz，随后诞生了DDR-266、DDR-333和主流的DDR-400。DDR内存开始是单通道，后来支持双通道的芯片组，让内存的带宽直接翻倍，容量则是从128MB增加到1GB。
DDR2
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍以上于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR2最大的突破点不在于两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低功耗的情况下，获得频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。DDR2的频率从400MHz到1200MHz，主流的是DDR2-800，容量从256MB起步到最大4GB，在DDR2时代的末期大多是单条2GB的容量。
DDR3
DDR3在许多方面作了新的规范，核心电压降低到1.5V，预取从4-bit变成了8-bit。所以同样的核心频率DDR3能够提供两倍于DDR2的带宽。此外，DDR3还新增了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技术。
DDR3 1333MHZ
DDR3内存与DDR2一样是240Pin DIMM接口，不过两者的防呆缺口位置是不同的，不能混插。常见的容量是512MB到8GB,更大的稀少。频率800MHz~2400MHz，更高的不划算。
DDR4
DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。
DDR4内存的针脚从DDR3的240个提高到了288个，防呆缺口也与DDR3的位置不同，还有一点改变就是DDR4的金手指是中间高两侧低有轻微的曲线，而之前的内存金手指都是平直的，在保持与DIMM插槽有足够的信号接触面积，在移除内存的时候更加轻松。相较于DDR3，DDR4理论上每根DIMM模块能达到512GB的容量，而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GB；一个rank单元内的bank单元数量增长至16个，每个DIMM模块最高拥有8个bank单元。
DDR5
早在2017年，JEDEC就宣称将在2018年完成DDR5内存的最终标准，镁光、三星等厂商在2018年也开始研发16GB的DDR5产品，去年几个厂商都已经开始逐渐量产DDR5内存。但是直到2020年7月，JEDEC才正式发布了DDR5内存的标准，而且起跳就是4800MHz。
据JEDEC介绍，全新DDR5标准将提供两倍于上代的性能并大大提高电源效率。在全新DDR5内存标准下，最高内存传输速度能达到6.4Gbps，与之对比，在DDR4内存标准下最高内存传输速度只能达到3.2Gbps。此外，DDR5也改善了DIMM的工作电压，将电压从DDR4的1.2V降至1.1V，提升内存的能效。在内存密度方面，DDR5内存标准将允许单个内存芯片的密度达到64Gbit，这比DDR4内存标准的16Gbit密度高出4倍。如此高的内存密度，再结合多芯片封装技术，可以实现最高40个单元的堆叠，如此堆叠的LRDIMM有效内存容量可以达到2TB。
最后
从DDR到DDR5，不同性能参数差异主要体现在2个地方：
电源电压（越低的工作电压工作频率越容易做得高，想想tr怎么定义的，大家爬坡的时间不一样）
数据传输速率（主要得益于工作频率提高和位宽的增加）。
